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业渐0亿元（c）Sb2Se3@NC@rGO电极的前五圈CV曲线。【图文解读】图一、成规超不同配置的转化/合金负极中的电化学过程示意图（a）裸露纳米棒的体积变化很大，在循环过程中容易粉碎。

所以高性能PIBs中稳定的基于转化/合金化负极的主要挑战是在重复插入/提取K+期间，物联网产缓冲不可避免的体积膨胀并保持结构完整性。【小结】综上所述，业渐0亿元作者通过导电NC封装和二维rGO限域的组合策略，合成了Sb2Se3@NC@rGO复合材料。图二、成规超电极材料的合成与表征（a-d）裸露的Sb2Se3纳米棒、Sb2Se3@NC、Sb2Se3@rGO和Sb2Se3@NC@rGO的TEM图像。

二维（2D）材料限域的方法有助于提高电子导电性和维持电极的整体性，物联网产但是阻止不了被限制的转化/合金负极材料的粉化。业渐0亿元2018年全球材料和化学双学科高被引科学家(WebofScience/ClarivateAnalytics)。

成规超并且利用原位和非原位表征揭示了大体积变化Sb2Se3负极的两步转化反应和多步合金化反应的可逆K储存机理。

物联网产英国皇家化学会会士(FRSC)和国际电化学学会会士(ISEfellow)。业渐0亿元（f）OER性能与最近报告的结果进行比较。

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